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MMJT350T1G

MMJT350T1G

Solo per riferimento

Numero parte MMJT350T1G
PNEDA Part # MMJT350T1G
Descrizione TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 22.056
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Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
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MMJT350T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMJT350T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMJT350T1G, MMJT350T1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 116,13 KB)
PDFMMJT350T1 Datasheet Copertura
MMJT350T1 Datasheet Pagina 2 MMJT350T1 Datasheet Pagina 3 MMJT350T1 Datasheet Pagina 4 MMJT350T1 Datasheet Pagina 5

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MMJT350T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)300V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
Potenza - Max650mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

NSS12501UW3T2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Potenza - Max

875mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

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Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 200mA, 20A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

Potenza - Max

175W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AA, TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3

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Nexperia

Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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