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MMDF2C03HDR2G

MMDF2C03HDR2G

Solo per riferimento

Numero parte MMDF2C03HDR2G
PNEDA Part # MMDF2C03HDR2G
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMDF2C03HDR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMDF2C03HDR2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MMDF2C03HDR2G, MMDF2C03HDR2G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 148,69 KB)
PDFMVDF2C03HDR2G Datasheet Copertura
MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 2 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 3 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 4 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 5 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 6 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 7 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 8 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 9 MVDF2C03HDR2G Datasheet Pagina 10

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MMDF2C03HDR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 24V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

IRF5810TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

ZXMN2A04DN8TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTC60AM45B1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 15V

Potenza - Max

4.5W, 3.1W

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