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MMBTH11

MMBTH11

Solo per riferimento

Numero parte MMBTH11
PNEDA Part # MMBTH11
Descrizione RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 50.814
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBTH11 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBTH11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MMBTH11, MMBTH11 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 240,77 KB)
PDFMPSH11_D27Z Datasheet Copertura
MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 2 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 3 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 4 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 5 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 6 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 7 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 8 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 9 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 10

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MMBTH11 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

17.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

2SC5347AF-TD-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Guadagno

8dB

Potenza - Max

1.3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PCP

BFP 182 E7764

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

NE85618-A

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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