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MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

Solo per riferimento

Numero parte MMBTH10M3T5G
PNEDA Part # MMBTH10M3T5G
Descrizione RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.074
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MMBTH10M3T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBTH10M3T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MMBTH10M3T5G, MMBTH10M3T5G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 119,8 KB)
PDFMMBTH10M3T5G Datasheet Copertura
MMBTH10M3T5G Datasheet Pagina 2 MMBTH10M3T5G Datasheet Pagina 3 MMBTH10M3T5G Datasheet Pagina 4 MMBTH10M3T5G Datasheet Pagina 5

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MMBTH10M3T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max265mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-723
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-723

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PN5179

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

17GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

11dB ~ 19dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 15mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

M05

BFP 740F E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27.5dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

37GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

10.5dB ~ 21.5dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

23A025

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

22V

Frequenza - Transizione

3.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6dB ~ 6.3dB

Potenza - Max

9W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 420mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

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