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MMBD4448HCQW-TP

MMBD4448HCQW-TP

Solo per riferimento

Numero parte MMBD4448HCQW-TP
PNEDA Part # MMBD4448HCQW-TP
Descrizione DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.412
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBD4448HCQW-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBD4448HCQW-TP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MMBD4448HCQW-TP, MMBD4448HCQW-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 207,81 KB)
PDFMMBD4448HAQW-TP Datasheet Copertura
MMBD4448HAQW-TP Datasheet Pagina 2 MMBD4448HAQW-TP Datasheet Pagina 3 MMBD4448HAQW-TP Datasheet Pagina 4

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MMBD4448HCQW-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Configurazione diodi2 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 70V
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

560mV @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Pacchetto / Custodia

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Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

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