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MJF3055G

MJF3055G

Solo per riferimento

Numero parte MJF3055G
PNEDA Part # MJF3055G
Descrizione TRANS NPN 90V 10A TO220FP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 9.576
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MJF3055G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJF3055G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJF3055G, MJF3055G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 115,38 KB)
PDFMJF2955 Datasheet Copertura
MJF2955 Datasheet Pagina 2 MJF2955 Datasheet Pagina 3 MJF2955 Datasheet Pagina 4 MJF2955 Datasheet Pagina 5

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MJF3055G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)90V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 3.3A, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)1μA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione2MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

BSP50E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.8V @ 1mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

BC639G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

NJL1302DG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP + Diode (Isolated)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

260V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 5A, 5V

Potenza - Max

200W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-5

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

BD37710STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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