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MJE180G

MJE180G

Solo per riferimento

Numero parte MJE180G
PNEDA Part # MJE180G
Descrizione TRANS NPN 40V 3A TO225AA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.272
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJE180G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJE180G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJE180G, MJE180G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 176,88 KB)
PDFMJE172 Datasheet Copertura
MJE172 Datasheet Pagina 2 MJE172 Datasheet Pagina 3 MJE172 Datasheet Pagina 4 MJE172 Datasheet Pagina 5 MJE172 Datasheet Pagina 6 MJE172 Datasheet Pagina 7

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MJE180G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.7V @ 600mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 100mA, 1V
Potenza - Max1.5W
Frequenza - Transizione50MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-225AA

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.56W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

2N5400_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BC309BTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SA1706S-AN

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-71

Pacchetto dispositivo fornitore

3-NMP

PBSS5330XZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

175 @ 1A, 2V

Potenza - Max

550mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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