MJD31CT4
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| Numero parte | MJD31CT4 |
| PNEDA Part # | MJD31CT4_6B |
| Descrizione | TRANS NPN 100V 3A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.420 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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MJD31CT4 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MJD31CT4 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
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MJD31CT4 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 3A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 100V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 50µA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Potenza - Max | 1.56W |
| Frequenza - Transizione | 3MHz |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Potenza - Max - Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 3A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A Corrente - Taglio collettore (Max) 50µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V Potenza - Max 1.56W Frequenza - Transizione 3MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore DPAK |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 160V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 2mA, 6V Potenza - Max 150mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236 |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/512 Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 10µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Potenza - Max 800mW Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-39 |
