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MJD122T4

MJD122T4

Solo per riferimento

Numero parte MJD122T4
PNEDA Part # MJD122T4
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD122T4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD122T4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD122T4, MJD122T4 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 576,59 KB)
PDFMJD122T4 Datasheet Copertura
MJD122T4 Datasheet Pagina 2 MJD122T4 Datasheet Pagina 3 MJD122T4 Datasheet Pagina 4 MJD122T4 Datasheet Pagina 5 MJD122T4 Datasheet Pagina 6 MJD122T4 Datasheet Pagina 7 MJD122T4 Datasheet Pagina 8 MJD122T4 Datasheet Pagina 9 MJD122T4 Datasheet Pagina 10 MJD122T4 Datasheet Pagina 11

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MJD122T4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Potenza - Max20W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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Produttore

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Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

STN0214

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300 mV @ 20mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3 @ 200mA, 2V

Potenza - Max

1.6W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

2SA2039-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

430mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

360MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

2-TP-FA

2N4911

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BC638,112

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

830mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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