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MJ11030G

MJ11030G

Solo per riferimento

Numero parte MJ11030G
PNEDA Part # MJ11030G
Descrizione TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
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MJ11030G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJ11030G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJ11030G, MJ11030G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 116,12 KB)
PDFMJ11030G Datasheet Copertura
MJ11030G Datasheet Pagina 2 MJ11030G Datasheet Pagina 3 MJ11030G Datasheet Pagina 4

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MJ11030G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)90V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3.5V @ 500mA, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)2mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 25A, 5V
Potenza - Max300W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-204AE
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

265mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-723

BUJ103AX,127

WeEn Semiconductors

Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 600mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

12 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

26W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

JANTXV2N2218A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/251

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39 (TO-205AD)

KSC2328AOTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 30mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N918UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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