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MIO1200-33E11

MIO1200-33E11

Solo per riferimento

Numero parte MIO1200-33E11
PNEDA Part # MIO1200-33E11
Descrizione IGBT MODULE SGL 1200A E11
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.568
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MIO1200-33E11 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMIO1200-33E11
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MIO1200-33E11, MIO1200-33E11 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 166,02 KB)
PDFMIO1200-33E11 Datasheet Copertura
MIO1200-33E11 Datasheet Pagina 2 MIO1200-33E11 Datasheet Pagina 3

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MIO1200-33E11 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle Switch
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3300V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1200A
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 1200A
Corrente - Taglio collettore (Max)120mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE11
Pacchetto dispositivo fornitoreE11

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Potenza - Max

62W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Potenza - Max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

MG150J7KS61

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF50H120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FS600R07A2E3B31BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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