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MG12200D-BA1MM

MG12200D-BA1MM

Solo per riferimento

Numero parte MG12200D-BA1MM
PNEDA Part # MG12200D-BA1MM
Descrizione IGBT 1200V 300A 1400W PKG D
Produttore Littelfuse
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MG12200D-BA1MM Risorse

Brand Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMG12200D-BA1MM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MG12200D-BA1MM, MG12200D-BA1MM Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 1.899,26 KB)
PDFMG12200D-BA1MM Datasheet Copertura
MG12200D-BA1MM Datasheet Pagina 2 MG12200D-BA1MM Datasheet Pagina 3 MG12200D-BA1MM Datasheet Pagina 4 MG12200D-BA1MM Datasheet Pagina 5 MG12200D-BA1MM Datasheet Pagina 6

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MG12200D-BA1MM Specifiche

ProduttoreLittelfuse Inc.
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300A
Potenza - Max1400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 200A (Typ)
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce14.9nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreD3

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 67A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Potenza - Max

170W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2.7mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

F4200R06KL4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF150A60T3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

230A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGF50H60T2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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