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MCP6569T-E/ST

MCP6569T-E/ST

Solo per riferimento

Numero parte MCP6569T-E/ST
PNEDA Part # MCP6569T-E-ST
Descrizione IC COMP QUAD 1.8V OD 14-TSSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MCP6569T-E/ST Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCP6569T-E/ST
CategoriaSemiconduttoriCI amplificatoreLineare - Comparatori

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MCP6569T-E/ST Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
TipoGeneral Purpose
Numero di elementi4
Tipo di outputCMOS, Open-Drain
Tensione - Alimentazione, Singola / Doppia (±)1.8V ~ 5.5V
Tensione - Offset ingresso (Max)10mV @ 5.5V
Corrente - Bias ingresso (Max)1pA @ 5.5V
Corrente - Uscita (Tip.)50mA
Corrente - Quiescente (Max)130µA
CMRR, PSRR (Tipico)66dB CMRR, 70dB PSRR
Ritardo di propagazione (massimo)80ns
Isteresi5mV
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Pacchetto / Custodia14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore14-TSSOP

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Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo

General Purpose

Numero di elementi

2

Tipo di output

CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL

Tensione - Alimentazione, Singola / Doppia (±)

2.5V ~ 5.5V, ±1.25V ~ 2.75V

Tensione - Offset ingresso (Max)

5mV @ 5.5V

Corrente - Bias ingresso (Max)

1pA @ 5.5V

Corrente - Uscita (Tip.)

-

Corrente - Quiescente (Max)

96µA

CMRR, PSRR (Tipico)

80dB CMRR, 80dB PSRR

Ritardo di propagazione (massimo)

210ns

Isteresi

±2.5mV

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LM211DG4

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo

General Purpose

Numero di elementi

1

Tipo di output

DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL

Tensione - Alimentazione, Singola / Doppia (±)

3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V

Tensione - Offset ingresso (Max)

3mV @ ±15V

Corrente - Bias ingresso (Max)

0.1µA @ ±15V

Corrente - Uscita (Tip.)

50mA

Corrente - Quiescente (Max)

6mA

CMRR, PSRR (Tipico)

-

Ritardo di propagazione (massimo)

-

Isteresi

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LTC1841IS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Tipo

General Purpose

Numero di elementi

2

Tipo di output

Open Drain

Tensione - Alimentazione, Singola / Doppia (±)

2V ~ 11V, ±1V ~ 5.5V

Tensione - Offset ingresso (Max)

10mV @ 5V

Corrente - Bias ingresso (Max)

-

Corrente - Uscita (Tip.)

-

Corrente - Quiescente (Max)

5.7µA

CMRR, PSRR (Tipico)

80dB CMRR, 80dB PSRR

Ritardo di propagazione (massimo)

12µs

Isteresi

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LMC6762AIM/NOPB

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo

General Purpose

Numero di elementi

2

Tipo di output

Push-Pull, Rail-to-Rail

Tensione - Alimentazione, Singola / Doppia (±)

2.7V ~ 15V, ±1.35V ~ 7.5V

Tensione - Offset ingresso (Max)

5mV @ 5V

Corrente - Bias ingresso (Max)

0.04pA @ 5V

Corrente - Uscita (Tip.)

30mA

Corrente - Quiescente (Max)

20µA

CMRR, PSRR (Tipico)

75dB CMRR, 80dB PSRR

Ritardo di propagazione (massimo)

10µs

Isteresi

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

HMC675LP3ETR

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Produttore

Analog Devices Inc.

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Tipo

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Numero di elementi

1

Tipo di output

-

Tensione - Alimentazione, Singola / Doppia (±)

3.3V

Tensione - Offset ingresso (Max)

5mV

Corrente - Bias ingresso (Max)

15µA

Corrente - Uscita (Tip.)

20mA

Corrente - Quiescente (Max)

9mA

CMRR, PSRR (Tipico)

35dB PSRR

Ritardo di propagazione (massimo)

0.13ns

Isteresi

1mV

Temperatura di esercizio

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