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MCH4017-TL-H

MCH4017-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte MCH4017-TL-H
PNEDA Part # MCH4017-TL-H
Descrizione RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.208
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MCH4017-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCH4017-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MCH4017-TL-H, MCH4017-TL-H Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 290,88 KB)
PDFMCH4017-TL-H Datasheet Copertura
MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 2 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 3 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 4 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 5 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 6 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 7 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 8 MCH4017-TL-H Datasheet Pagina 9

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MCH4017-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno17dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore4-MCPH

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSP10TA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JAN2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

TAN150

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

583W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AT

Pacchetto dispositivo fornitore

55AT

2SC5007-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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