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MBRT20045R

MBRT20045R

Solo per riferimento

Numero parte MBRT20045R
PNEDA Part # MBRT20045R
Descrizione DIODE MODULE 45V 200A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRT20045R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRT20045R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRT20045R, MBRT20045R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 752,64 KB)
PDFMBRT20080R Datasheet Copertura
MBRT20080R Datasheet Pagina 2 MBRT20080R Datasheet Pagina 3

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MBRT20045R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If750mV @ 100A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Global Power Technologies Group

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

24A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

930mV @ 5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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