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MBRT12080R

MBRT12080R

Solo per riferimento

Numero parte MBRT12080R
PNEDA Part # MBRT12080R
Descrizione DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRT12080R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRT12080R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRT12080R, MBRT12080R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 788,13 KB)
PDFMBRT12080R Datasheet Copertura
MBRT12080R Datasheet Pagina 2 MBRT12080R Datasheet Pagina 3

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MBRT12080R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)120A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If880mV @ 60A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Rohm Semiconductor

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Configurazione diodi

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

425mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

MURP20020CT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 300V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

MUR30010CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Powerex Inc.

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.8V @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 1400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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