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MBRS2H100T3G

MBRS2H100T3G

Solo per riferimento

Numero parte MBRS2H100T3G
PNEDA Part # MBRS2H100T3G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 543.006
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRS2H100T3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRS2H100T3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBRS2H100T3G, MBRS2H100T3G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 234,27 KB)
PDFNRVBA2H100T3G Datasheet Copertura
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MBRS2H100T3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If790mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr8µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreSMB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

635pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-2L (DPAK)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CRNA15-1200PT

Sensata-Crydom

Produttore

Sensata-Crydom

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

9.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

CDLL0.2A40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

UFS580GE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-215AB, SMC Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-215AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

IDD04S60CBUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5.6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 4A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

130pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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