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MBRD660CT

MBRD660CT

Solo per riferimento

Numero parte MBRD660CT
PNEDA Part # MBRD660CT
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.922
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRD660CT Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRD660CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRD660CT, MBRD660CT Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 209,62 KB)
PDFMBRD660CTTRR Datasheet Copertura
MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 2 MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 3 MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 4 MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 5 MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 6 MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 7 MBRD660CTTRR Datasheet Pagina 8

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MBRD660CT Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)60V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If700mV @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 60V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

240µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

DSA20C45PB

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

CPT40090A

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Produttore

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Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

890mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 90V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Produttore

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Configurazione diodi

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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