MBRB30H60CTT4G
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| Numero parte | MBRB30H60CTT4G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MBRB30H60CTT4G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 26.753 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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MBRB30H60CTT4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBRB30H60CTT4G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
MBRB30H60CTT4G, MBRB30H60CTT4G Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 165,21 KB)
  
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MBRB30H60CTT4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 15A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 60V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
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Produttore IXYS Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 910mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Configurazione diodi 2 Pair CA + CC Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore SC-74 |
Produttore Powerex Inc. Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 1200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 3000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 22µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 200mA @ 2400V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia POW-R-BLOK™ Module Pacchetto dispositivo fornitore POW-R-BLOK™ Module |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 40V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
