MBRB10H100CTHE3/45
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| Numero parte | MBRB10H100CTHE3/45 |
| PNEDA Part # | MBRB10H100CTHE3-45 |
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.736 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBRB10H100CTHE3/45 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBRB10H100CTHE3/45 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
MBRB10H100CTHE3/45, MBRB10H100CTHE3/45 Datasheet
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MBRB10H100CTHE3/45 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 150A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 8mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 580mV @ 150A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 3mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
