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MBR50045CTR

MBR50045CTR

Solo per riferimento

Numero parte MBR50045CTR
PNEDA Part # MBR50045CTR
Descrizione DIODE MODULE 45V 500A 2TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.642
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR50045CTR Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR50045CTR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBR50045CTR, MBR50045CTR Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 687,5 KB)
PDFMBR50080CTR Datasheet Copertura
MBR50080CTR Datasheet Pagina 2 MBR50080CTR Datasheet Pagina 3

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MBR50045CTR Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)500A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If750mV @ 250A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTwin Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreTwin Tower

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

90µA @ 650V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

FST31180E3

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

180V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

830mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 180V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBRT600150

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

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