MBR50030CT
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| Numero parte | MBR50030CT |
| PNEDA Part # | MBR50030CT |
| Descrizione | DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR50030CT Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR50030CT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MBR50030CT Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 500A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 250A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 82.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 1600V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia INT-A-PAK (3) Pacchetto dispositivo fornitore INT-A-PAK |
