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MBR40035CT

MBR40035CT

Solo per riferimento

Numero parte MBR40035CT
PNEDA Part # MBR40035CT
Descrizione DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.762
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR40035CT Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR40035CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBR40035CT, MBR40035CT Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 692,69 KB)
PDFMBR40035CTR Datasheet Copertura
MBR40035CTR Datasheet Pagina 2 MBR40035CTR Datasheet Pagina 3

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MBR40035CT Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)400A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If700mV @ 200A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTwin Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreTwin Tower

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Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

25000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

18.3V @ 12A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 25000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SCPND5

Semtech

Produttore

Semtech Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

5000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

2.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

5V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2000ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 5000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NSVBAS21TMR6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

3 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

250V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-74

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

240V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

225mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 240V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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