MBR10H150CT C0G
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| Numero parte | MBR10H150CT C0G |
| PNEDA Part # | MBR10H150CT-C0G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.800 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR10H150CT C0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR10H150CT C0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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MBR10H150CT C0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 50A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
