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MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

Solo per riferimento

Numero parte MB85RC64TAPNF-G-BDERE1
PNEDA Part # MB85RC64TAPNF-G-BDERE1
Descrizione IC FRAM 64K I2C 3.4MHZ 8SOP
Produttore Fujitsu Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 60.468
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Risorse

Brand Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMB85RC64TAPNF-G-BDERE1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1, MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.710,26 KB)
PDFMB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Copertura
MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 2 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 3 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 4 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 5 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 6 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 7 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 8 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 9 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 10 MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Datasheet Pagina 11

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MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Specifiche

ProduttoreFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock3.4MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso130ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-CABGA (9x9)

NM27C040Q120

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window

Pacchetto dispositivo fornitore

32-CDIP

24LC01B-I/MS

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

3500ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

70V25S55J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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