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MB85RC256VPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

Solo per riferimento

Numero parte MB85RC256VPNF-G-JNERE1
PNEDA Part # MB85RC256VPNF-G-JNERE1
Descrizione IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOP
Produttore Fujitsu Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 36.756
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Risorse

Brand Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMB85RC256VPNF-G-JNERE1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MB85RC256VPNF-G-JNERE1, MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.468,29 KB)
PDFMB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Copertura
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 2 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 3 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 4 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 5 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 6 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 7 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 8 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 9 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 10 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 11

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MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Specifiche

ProduttoreFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

NM93C13M8

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256b (16 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AT25DF011-SSHNGU-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 3.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUAD

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (15x17)

IS45S16400F-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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