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MAX8552ETB+TG069

MAX8552ETB+TG069

Solo per riferimento

Numero parte MAX8552ETB+TG069
PNEDA Part # MAX8552ETB-TG069
Descrizione INTEGRATED CIRCUIT
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.122
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAX8552ETB+TG069 Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAX8552ETB+TG069
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
MAX8552ETB+TG069, MAX8552ETB+TG069 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 177,46 KB)
PDFMAX8552ETB+G24 Datasheet Copertura
MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 2 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 3 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 4 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 5 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 6 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 7 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 8 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 9 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 10 MAX8552ETB+G24 Datasheet Pagina 11

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MAX8552ETB+TG069 Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Configurazione guidata-
Tipo di canale-
Numero di driver-
Tipo di porta-
Tensione - Alimentazione-
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingresso-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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LTC4444MPMS8E#PBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7.2V ~ 13.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1.85V, 3.25V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

MIC4223YM-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

HIP6601BCBZA

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

UCC27527DSDT

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SON (3x3)

HIP2101IR4

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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