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MAX8552ETB+T

MAX8552ETB+T

Solo per riferimento

Numero parte MAX8552ETB+T
PNEDA Part # MAX8552ETB-T
Descrizione IC DRIVER MOSFET HS 10-TDFN
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAX8552ETB+T Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAX8552ETB+T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
MAX8552ETB+T, MAX8552ETB+T Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 186,03 KB)
PDFMAX8552ETB+T Datasheet Copertura
MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 2 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 3 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 4 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 5 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 6 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 7 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 8 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 9 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 10 MAX8552ETB+T Datasheet Pagina 11

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MAX8552ETB+T Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 6.5V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)14ns, 9ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore10-TDFN-EP (3x3)

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IXYS Integrated Circuits Division

Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

9.4ns, 9.7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

L6389EDTR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

17V (Max)

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.8V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

400mA, 650mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-45°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TC4626MJA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 6V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

33ns, 27ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-CERDIP

IXJ611P1

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

-

Tipo di canale

-

Numero di driver

-

Tipo di porta

-

Tensione - Alimentazione

-

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

TC4405EOA713

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 40ns (Max)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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