MAX8552ETB+
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| Numero parte | MAX8552ETB+ |
| PNEDA Part # | MAX8552ETB |
| Descrizione | IC DRIVER MOSFET HS 10-TDFN |
| Produttore | Maxim Integrated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 18.438 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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MAX8552ETB+ Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MAX8552ETB+ |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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MAX8552ETB+ Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 6.5V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 14ns, 9ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 10-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-TDFN-EP (3x3) |
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Produttore IXYS Integrated Circuits Division Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 35V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 9ns, 8ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
