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MAX5055BASA+

MAX5055BASA+

Solo per riferimento

Numero parte MAX5055BASA+
PNEDA Part # MAX5055BASA
Descrizione IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.758
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAX5055BASA+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAX5055BASA+
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
MAX5055BASA+, MAX5055BASA+ Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 261,67 KB)
PDFMAX5056AASA-T Datasheet Copertura
MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 2 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 3 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 4 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 5 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 6 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 7 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 8 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 9 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 10 MAX5056AASA-T Datasheet Pagina 11

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MAX5055BASA+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4V ~ 15V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.1V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4A, 4A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)32ns, 26ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

10.6A, 11.4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

23ns, 19ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (3x3)

MC34152DR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.1V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

36ns, 32ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ISL89166FRTAZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (3x3)

FAN7083M-GF085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 400mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

200ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

L6390D

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 430mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

75ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO

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