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MAX5048BATT+T

MAX5048BATT+T

Solo per riferimento

Numero parte MAX5048BATT+T
PNEDA Part # MAX5048BATT-T
Descrizione IC MOSFET DRIVER 6-TDFN
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.210
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAX5048BATT+T Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAX5048BATT+T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
MAX5048BATT+T, MAX5048BATT+T Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 261,81 KB)
PDFMAX5048BAUT#G16 Datasheet Copertura
MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 2 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 3 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 4 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 5 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 6 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 7 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 8 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 9 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 10 MAX5048BAUT#G16 Datasheet Pagina 11

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MAX5048BATT+T Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4V ~ 12.6V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.3A, 7.6A
Tipo di ingressoInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)82ns, 12.5ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-TDFN-EP (3x3)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

IR2233J

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

HIP4083ABZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

3

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

95V

Tempo di salita / discesa (tipico)

35ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

LTC1982ES6#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.6V, 1.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

IR2112PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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