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MAPR-000912-500S00

MAPR-000912-500S00

Solo per riferimento

Numero parte MAPR-000912-500S00
PNEDA Part # MAPR-000912-500S00
Descrizione RF TRANS NPN 80V
Produttore M/A-Com Technology Solutions
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.254
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAPR-000912-500S00 Risorse

Brand M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAPR-000912-500S00
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MAPR-000912-500S00, MAPR-000912-500S00 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 626,61 KB)
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MAPR-000912-500S00 Specifiche

ProduttoreM/A-Com Technology Solutions
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno9.44dB ~ 9.77dB
Potenza - Max500W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)52.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

11.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

MS2203

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.8dB ~ 12.3dB

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M220

Pacchetto dispositivo fornitore

M220

MS1076C

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Guadagno

10dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MS2552

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.7dB

Potenza - Max

880W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

2NLFL

Pacchetto dispositivo fornitore

2NLFL

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