Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

M95160-RMN6P

M95160-RMN6P

Solo per riferimento

Numero parte M95160-RMN6P
PNEDA Part # M95160-RMN6P
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 10MHZ 8SO
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.814
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M95160-RMN6P Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM95160-RMN6P
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M95160-RMN6P, M95160-RMN6P Datasheet (Totale pagine: 53, Dimensioni: 929,1 KB)
PDFM95160-RCS6TP/S Datasheet Copertura
M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 2 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 3 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 4 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 5 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 6 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 7 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 8 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 9 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 10 M95160-RCS6TP/S Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • M95160-RMN6P Datasheet
  • where to find M95160-RMN6P
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics M95160-RMN6P
  • M95160-RMN6P PDF Datasheet
  • M95160-RMN6P Stock

  • M95160-RMN6P Pinout
  • Datasheet M95160-RMN6P
  • M95160-RMN6P Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • M95160-RMN6P Price
  • M95160-RMN6P Distributor

M95160-RMN6P Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

I prodotti a cui potresti essere interessato

IS43LD32320C-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Dimensione della memoria

1Gb (32M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

134-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

134-TFBGA (10x11.5)

CY62256VNLL-70SNXE

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

M25P40-VMC6TGB TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

W632GU8MB-15 TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-VFBGA (8x10.5)

CY7C1518JV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

Venduto di recente

SSC54HE3_A/H

SSC54HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

TSV912IDT

TSV912IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

LTC1773EMS#TRPBF

LTC1773EMS#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

B360B-13-F

B360B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

ALDP112W

ALDP112W

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V

9DBL411BGILFT

9DBL411BGILFT

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK FANOUT/BUFF DIFF 20TSSOP

MAX1037EKA+T

MAX1037EKA+T

Maxim Integrated

IC ADC 8BIT SAR SOT23-8

IHLP2525CZERR22M01

IHLP2525CZERR22M01

Vishay Dale

FIXED IND 220NH 23A 2.8 MOHM SMD

ADP7158ACPZ-3.3-R7

ADP7158ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 2A 10LFCSP

NCP4586DMU50TCG

NCP4586DMU50TCG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 150MA 4UDFN

Q8F1CXXB12E

Q8F1CXXB12E

APEM Inc.

INDICATOR 12V 8MM FLUSH BLUE

J111

J111

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 625MW TO92