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M95160-DRMF3TG/K

M95160-DRMF3TG/K

Solo per riferimento

Numero parte M95160-DRMF3TG/K
PNEDA Part # M95160-DRMF3TG-K
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 20MHZ 8MLP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M95160-DRMF3TG/K Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM95160-DRMF3TG/K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M95160-DRMF3TG/K, M95160-DRMF3TG/K Datasheet (Totale pagine: 43, Dimensioni: 786,02 KB)
PDFM95160-DRMF3TG/K Datasheet Copertura
M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 2 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 3 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 4 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 5 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 6 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 7 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 8 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 9 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 10 M95160-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 11

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M95160-DRMF3TG/K Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (2x3)

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Alliance Memory, Inc.

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Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Everspin Technologies Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Winbond Electronics

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

350ps

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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