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M95010-RMN6TP

M95010-RMN6TP

Solo per riferimento

Numero parte M95010-RMN6TP
PNEDA Part # M95010-RMN6TP
Descrizione IC EEPROM 1K SPI 20MHZ 8SO
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 49.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M95010-RMN6TP Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM95010-RMN6TP
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M95010-RMN6TP, M95010-RMN6TP Datasheet (Totale pagine: 46, Dimensioni: 817,61 KB)
PDFM95040-RMB6TG Datasheet Copertura
M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 2 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 3 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 4 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 5 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 6 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 7 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 8 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 9 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 10 M95040-RMB6TG Datasheet Pagina 11

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M95010-RMN6TP Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT40A1G8SA-062E AUT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (7.5x11)

MT48LC64M4A2TG-75 L:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (64M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S29GL256P90TFCR20

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

MT41K1G4THV-125:M

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (1G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x11.5)

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