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M59DR032EA10ZB6

M59DR032EA10ZB6

Solo per riferimento

Numero parte M59DR032EA10ZB6
PNEDA Part # M59DR032EA10ZB6
Descrizione IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.822
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M59DR032EA10ZB6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM59DR032EA10ZB6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M59DR032EA10ZB6, M59DR032EA10ZB6 Datasheet (Totale pagine: 43, Dimensioni: 594,68 KB)
PDFM59DR032EA10ZB6T Datasheet Copertura
M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 2 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 3 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 4 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 5 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 6 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 7 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 8 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 9 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 10 M59DR032EA10ZB6T Datasheet Pagina 11

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M59DR032EA10ZB6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (7x12)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CY7C14141KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

PF38F3050M0Y0CEA

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S25FL256LAGBHN023

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-L

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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