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M48Z12-200PC1

M48Z12-200PC1

Solo per riferimento

Numero parte M48Z12-200PC1
PNEDA Part # M48Z12-200PC1
Descrizione IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M48Z12-200PC1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM48Z12-200PC1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M48Z12-200PC1, M48Z12-200PC1 Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 338,29 KB)
PDFM48Z12-200PC1 Datasheet Copertura
M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 2 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 3 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 4 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 5 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 6 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 7 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 8 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 9 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 10 M48Z12-200PC1 Datasheet Pagina 11

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M48Z12-200PC1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina200ns
Tempo di accesso200ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore24-PCDIP, CAPHAT®

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

BR24T01FV-WE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SSOPB

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Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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