Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

M30LW128D110ZA6

M30LW128D110ZA6

Solo per riferimento

Numero parte M30LW128D110ZA6
PNEDA Part # M30LW128D110ZA6
Descrizione IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M30LW128D110ZA6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM30LW128D110ZA6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M30LW128D110ZA6, M30LW128D110ZA6 Datasheet (Totale pagine: 58, Dimensioni: 861,52 KB)
PDFM30LW128D110ZA6 Datasheet Copertura
M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 2 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 3 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 4 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 5 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 6 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 7 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 8 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 9 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 10 M30LW128D110ZA6 Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • M30LW128D110ZA6 Datasheet
  • where to find M30LW128D110ZA6
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics M30LW128D110ZA6
  • M30LW128D110ZA6 PDF Datasheet
  • M30LW128D110ZA6 Stock

  • M30LW128D110ZA6 Pinout
  • Datasheet M30LW128D110ZA6
  • M30LW128D110ZA6 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • M30LW128D110ZA6 Price
  • M30LW128D110ZA6 Distributor

M30LW128D110ZA6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina110ns
Tempo di accesso110ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-TBGA (10x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

CY62137FV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

S29GL256S10DHSS10

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

IDT71V25761S183PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

183MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

AS4C512M8D3A-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x10.5)

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

64Gb (1G x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Venduto di recente

VLMS1300-GS08

VLMS1300-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RED 0603 SMD

MOCD217M

MOCD217M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

S1M-13-F

S1M-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

CM1624-08DE

CM1624-08DE

ON Semiconductor

FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

DTC114EM3T5G

DTC114EM3T5G

ON Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

LTM4630AEY#PBF

LTM4630AEY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.3V

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

MCP6566UT-E/OT

MCP6566UT-E/OT

Microchip Technology

IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5

HCNR201-000E

HCNR201-000E

Broadcom

OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIP

SF-1206F200-2

SF-1206F200-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

MCP6004-I/SL

MCP6004-I/SL

Microchip Technology

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC