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M29W800DB45N6E

M29W800DB45N6E

Solo per riferimento

Numero parte M29W800DB45N6E
PNEDA Part # M29W800DB45N6E
Descrizione IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.970
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M29W800DB45N6E Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM29W800DB45N6E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M29W800DB45N6E, M29W800DB45N6E Datasheet (Totale pagine: 52, Dimensioni: 1.071,54 KB)
PDFM29W800DT70ZM6E Datasheet Copertura
M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 2 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 3 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 4 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 5 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 6 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 7 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 8 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 9 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 10 M29W800DT70ZM6E Datasheet Pagina 11

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M29W800DB45N6E Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina45ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.31x29.31)

S34ML01G200GHI000

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

CY7C1668KV18-550BZXC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

144Mb (8M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

550MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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