M29DW323DB5AN6F TR
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| Numero parte | M29DW323DB5AN6F TR |
| PNEDA Part # | M29DW323DB5AN6F-TR |
| Descrizione | IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.302 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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M29DW323DB5AN6F TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M29DW323DB5AN6F TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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M29DW323DB5AN6F TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 55ns |
| Tempo di accesso | 55ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2.25V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOIC |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria RAM Tecnologia SARAM Dimensione della memoria 128Kb (8K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 80-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 80-TQFP (14x14) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 24-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 24-BGA (8x6) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR IIP Dimensione della memoria 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.71V ~ 1.89V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-LFBGA (15x17) |
