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M29DW256G70NF3E

M29DW256G70NF3E

Solo per riferimento

Numero parte M29DW256G70NF3E
PNEDA Part # M29DW256G70NF3E
Descrizione IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.526
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M29DW256G70NF3E Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM29DW256G70NF3E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M29DW256G70NF3E, M29DW256G70NF3E Datasheet (Totale pagine: 79, Dimensioni: 1.008,04 KB)
PDFM29DW256G70NF3E Datasheet Copertura
M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 2 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 3 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 4 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 5 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 6 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 7 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 8 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 9 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 10 M29DW256G70NF3E Datasheet Pagina 11

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M29DW256G70NF3E Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore56-TSOP

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8.15x6.15)

M25P16-VMC6G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

AT24CS02-STUM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-5

LE25S40AMBTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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