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M27C512-15F6

M27C512-15F6

Solo per riferimento

Numero parte M27C512-15F6
PNEDA Part # M27C512-15F6
Descrizione IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.263
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M27C512-15F6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM27C512-15F6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M27C512-15F6, M27C512-15F6 Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 268,83 KB)
PDFM27C512-10C6TR Datasheet Copertura
M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 2 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 3 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 4 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 5 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 6 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 7 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 8 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 9 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 10 M27C512-10C6TR Datasheet Pagina 11

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M27C512-15F6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - UV
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso150ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Pacchetto dispositivo fornitore28-CDIP Frit Seal with Window

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-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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