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M27C4001-70C6

M27C4001-70C6

Solo per riferimento

Numero parte M27C4001-70C6
PNEDA Part # M27C4001-70C6
Descrizione IC EPROM 4M PARALLEL 32PLCC
Produttore STMicroelectronics
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Disponibile 4.266
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M27C4001-70C6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM27C4001-70C6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M27C4001-70C6, M27C4001-70C6 Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 214,63 KB)
PDFM27C4001-45XF1 Datasheet Copertura
M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 2 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 3 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 4 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 5 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 6 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 7 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 8 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 9 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 10 M27C4001-45XF1 Datasheet Pagina 11

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M27C4001-70C6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-LCC (J-Lead)
Pacchetto dispositivo fornitore32-PLCC (11.35x13.89)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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8-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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