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M27C2001-12F1

M27C2001-12F1

Solo per riferimento

Numero parte M27C2001-12F1
PNEDA Part # M27C2001-12F1
Descrizione IC EPROM 2M PARALLEL 32CDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.820
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M27C2001-12F1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM27C2001-12F1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M27C2001-12F1, M27C2001-12F1 Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 227,69 KB)
PDFM27C2001-12F1 Datasheet Copertura
M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 2 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 3 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 4 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 5 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 6 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 7 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 8 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 9 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 10 M27C2001-12F1 Datasheet Pagina 11

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M27C2001-12F1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - UV
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Pacchetto dispositivo fornitore32-CDIP Frit Seal with Window

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

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SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1415AV18-250BZCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

M36W0R5040T5ZAQE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

95ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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