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M27C1001-90C1

M27C1001-90C1

Solo per riferimento

Numero parte M27C1001-90C1
PNEDA Part # M27C1001-90C1
Descrizione IC EPROM 1M PARALLEL 32PLCC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 30 - lug 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M27C1001-90C1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM27C1001-90C1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M27C1001-90C1, M27C1001-90C1 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 159,87 KB)
PDFM27C1001-35C6 Datasheet Copertura
M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 2 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 3 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 4 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 5 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 6 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 7 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 8 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 9 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 10 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 11

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M27C1001-90C1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-LCC (J-Lead)
Pacchetto dispositivo fornitore32-PLCC (11.35x13.89)

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

CY15B004Q-SXE

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

16MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY15B064J-SXA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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