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M25P40-VMN6

M25P40-VMN6

Solo per riferimento

Numero parte M25P40-VMN6
PNEDA Part # M25P40-VMN6
Descrizione IC FLASH 4M SPI 50MHZ 8SO
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M25P40-VMN6 Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM25P40-VMN6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M25P40-VMN6, M25P40-VMN6 Datasheet (Totale pagine: 61, Dimensioni: 1.168,28 KB)
PDFM25P40-VMN3PB Datasheet Copertura
M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 2 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 3 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 4 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 5 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 6 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 7 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 8 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 9 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 10 M25P40-VMN3PB Datasheet Pagina 11

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M25P40-VMN6 Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock50MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ms, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (6x10)

W9712G6KB-25 TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TFBGA (8x12.5)

MT40A256M16Z90BWC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1413UV18-300BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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