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M24C08-DRMN3TP/K

M24C08-DRMN3TP/K

Solo per riferimento

Numero parte M24C08-DRMN3TP/K
PNEDA Part # M24C08-DRMN3TP-K
Descrizione IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8SO
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.730
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M24C08-DRMN3TP/K Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM24C08-DRMN3TP/K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M24C08-DRMN3TP/K, M24C08-DRMN3TP/K Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 602,98 KB)
PDFM24C08-DRMF3TG/K Datasheet Copertura
M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 2 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 3 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 4 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 5 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 6 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 7 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 8 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 9 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 10 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 11

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M24C08-DRMN3TP/K Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso450ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LCC

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Macronix

Serie

MXSMIO™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30µs, 750µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

24-CSPBGA (6x8)

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Produttore

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Serie

F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CY7C1143KV18-400BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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