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M24512-DRDW8TP/K

M24512-DRDW8TP/K

Solo per riferimento

Numero parte M24512-DRDW8TP/K
PNEDA Part # M24512-DRDW8TP-K
Descrizione IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8TSSOP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.682
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M24512-DRDW8TP/K Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM24512-DRDW8TP/K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M24512-DRDW8TP/K, M24512-DRDW8TP/K Datasheet (Totale pagine: 42, Dimensioni: 1.284,53 KB)
PDFM24512-DRDW8TP/K Datasheet Copertura
M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 2 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 3 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 4 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 5 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 6 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 7 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 8 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 9 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 10 M24512-DRDW8TP/K Datasheet Pagina 11

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M24512-DRDW8TP/K Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso450ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

70MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

7µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (5x6)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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