M1MA151KT1G
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| Numero parte | M1MA151KT1G |
| PNEDA Part # | M1MA151KT1G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 40V 100MA SC59 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 95.238 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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M1MA151KT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M1MA151KT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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M1MA151KT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 40V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 100mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 35V |
| Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 270ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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