LM5111-1MY
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| Numero parte | LM5111-1MY |
| PNEDA Part # | LM5111-1MY |
| Descrizione | IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-EMSOP |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.726 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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LM5111-1MY Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LM5111-1MY |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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LM5111-1MY Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 3.5V ~ 14V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 3A, 5A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 14ns, 12ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP-PowerPad |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.9A, 2.3A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 40ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 70ns, 30ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q100 Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 5V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 130ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1A, 1A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V Tempo di salita / discesa (tipico) 25ns, 15ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
